化学气相沉积薄膜技术
CVD——Chemical vapor deposition
CVD——Chemical vapor deposition
概 念:气态反应物在一定条件下,通过化学反应,将反应形成的固相产物沉积于基片表面,形成固态薄膜的方法。
基本特征:由反应气体通过化学反应沉积实现薄膜制备!
设备的基本构成:
主要优势:1)能形成多种金属、非金属和化合物薄膜;
2)组分易于控制,易获得理想化学计量比,薄膜纯度高;
3)成膜速度快、工效高(沉积速率 >>PVD、单炉处理批量大);
4)沉积温度高、薄膜致密、结晶完整、表面平滑、内部残余应力低;
5)沉积绕射性好,可在复杂不规则表面(深孔、大台阶)沉积;
主要缺点:1)沉积温度高,热影响显著,有时甚至具有破坏性;
2)存在基片-气氛、设备-气氛间反应,影响基片及设备性能及寿命;
3)设备复杂,工艺控制难度较大。